Библиотека Рефераты Курсовые Дипломы Поиск
Библиотека Рефераты Курсовые Дипломы Поиск
сделать стартовой добавить в избранное
Кефирный гриб на сайте za4eti.ru

Радиоэлектроника Радиоэлектроника

Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов

Гуашь "Классика", 12 цветов.
Гуашевые краски изготавливаются на основе натуральных компонентов и высококачестсвенных пигментов с добавлением консервантов, не
170 руб
Раздел: 7 и более цветов
Карабин, 6x60 мм.
Размеры: 6x60 мм. Материал: металл. Упаковка: блистер.
44 руб
Раздел: Карабины для ошейников и поводков
Крючки с поводками Mikado SSH Fudo "SB Chinu", №4BN, поводок 0,22 мм.
Качественные Японские крючки с лопаткой. Крючки с поводками – готовы к ловле. Высшего качества, исключительно острые японские крючки,
58 руб
Раздел: Размер от №1 до №10

Саратовский Государственный Технический Университет Кафедра «Электронные приборы и устройства» Курсовая работа На тему: «Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов» Выполнил: ст. Козачук В. М. Проверил: доц. Торопчин В. И. САРАТОВ 1999г. Оглавление.Оглавление. 1 1. Введение 2 2. Цель задания 2 3. ОБЩАЯ ЧАСТЬ 2 3.1 Техническое задание. 2 3.2 Параметры, выбранные самостоятельно. 2 3.3 Перечень используемых обозначений 34. Выбор технологии изготовления транзистора 5 4.1 Сплавно-диффузионные транзисторы. 5 4.2 Структура сплавно-диффузионного p- -p 75. ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ 8 5.1 Расчёт толщины базы и концентраций примесей. 8 5.2 Расчет коэффициента передачи тока 11 5.3 Расчет емкостей и размеров переходов 11 5.4 Расчет сопротивлений ЭС и граничных частот 12 5.5 Расчет обратных токов коллектора 14 5.6 Расчет параметров предельного режима и определение толщины элементов кристаллической структуры 15 5.7 Расчёт эксплутационных параметров 156. Выбор корпуса транзистора 16 7. Обсуждение результатов 18 8. Выводы: 18 9. Список используемой литературы 20 Введение Используемые физические свойства полупроводника известны и используются с конца 19 века. При изобретении радио А.С. Поповым был применен порошковый когерер, в котором использовались нелинейные свойства зернистых структур. В 1923-1924 гг. Лосев О.В. обнаружил наличие отрицательного дифференциального сопротивления и явление люминесценции в точечных контактных сопротивлениях карбида кремния. В 1940 году был изготовлен первый точечный диод. В 1948 году американский физик Дж. Бардии, а также И.Браштейн разработали и изготовили точечно-контактный транзистор, в 1952 г. впервые были созданы промышленные образцы плоскостных транзисторов. В 1956 г. началось производство транзисторов с базой, полученной методом диффузии. В начале 60-х годов была применена планарная технология изготовления транзисторов. В настоящее время рабочие частоты транзисторов достигают 50 ГГц. По уровню рассеиваемой мощности транзисторы делятся на маломощные, средней и большой мощности. Цель задания Задачей выполнения курсового проекта является разработка маломощного биполярного транзистора в диапазоне, средних и высоких частот. Целью работы над проектом является приобретение навыков решения инженерных задач создания дискретных полупроводниковых приборов, углубление знаний процессов и конструктивно технологических особенностей биполярных маломощных транзисторов. ОБЩАЯ ЧАСТЬ 1 Техническое задание. Техническое задание содержит требования к параметрам и условиям эксплуатации практикуемого прибора. В данном случае наиболее существенны следующие параметры: 1. Номинальный ток коллектора Iк ном=9мА. 2. Номинальное напряжение коллектора Uк ном=13В 3. Верхняя граничная частота f(=90МГц 4. Максимальная рассеивающая мощность Рк мах=60мВт 5. Максимальное напряжение коллектора Uк мах=18В 6. Максимальный ток коллектора Iк мах=12мА 7. Максимальная рабочая температура транзистора Тк мах=74(С 8. Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ ?=65 2 Параметры, выбранные самостоятельно. 1. Время жизни ННЗ ?ср=5мкс 2. Материал кристалла Ge 3.

Тип структуры p- -p 4. Ёмкость коллекторного перехода Ск=2пФ 5. Коофициент запаса по частоте F Х1=1,3 6. Перепад б Х2= 500 7. Отношение концентраций ОЭ/ б=3 8. Толщина диффузионного слоя hдс= мкм 9. Скорость поверхностной рекомбинации Sрек= слус 3 Перечень используемых обозначений Ak - площадь коллектора; Аэ - площадь эмитера; a - градиент концентрации примесей; - отношение подвижностей электронов и дырок; Сз.к зарядная (барьерная) емкость коллекторного перехода; Сд.э - диффузионная емкость эмитерного перехода; Сз.э - зарядная (барьерная) емкость эмитерного перехода; Дп, Др - коэффициенты диффузии электронов и дырок; Днб, Доб - коэффициенты диффузии не основных и основных носителей в базе; Днэ, Доэ - коэффициенты диффузии не основных и основных носителей в эмиттере; Е — напряженность электрического поля; (( - ширина запрещенной зоны; ( - частота; (( - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общей базой; (Т ( (( - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмитером; (max - максимальная частота генерации; hkp - толщина кристалла; hэ, hk — глубина вплавления в кристалл эмитера и коллектора; L , Lp - средние диффузионные длины электронов и дырок; Lнб, Lнэ средние диффузионные длины не основных носителей в базе и эмитере; б, k, э — концентрации примесей в базе, коллекторе и эмитере сплавного транзистора; б(х) - концентрация примеси, формирующей проводимость базы дрейфового транзистора; э(x) - концентрация примеси, формирующей проводимость эмиттера дрейфового транзистора; i - равновесная концентрация электронов в собственном полупроводнике; , p - равновесные концентрации электронов в полупроводниках - типа и p - типа; Р - мощность, рассеиваемая в коллекторе; Pk max - предельно допустимая мощность, рассеиваемая в коллекторе; Рэ - периметр эмитера; Р , Рp - равновесные концентрации дырок в полупроводниках -типа и p - типа; Rб, Rэ, Rк - радиусы электродов базы, коллектора, эмитера; Rm, - тепловое сопротивление; rб - эквивалентное сопротивление базы; rб’, rб’’ - омическое и диффузное сопротивление базы; rэ - сопротивление эмитера без учета эффекта Эрле; rэ’ - сопротивление эмитера с учетом эффекта Эрле; S — скорость поверхностной рекомбинации; Т — абсолютная температура; Тк — температура корпуса транзистора; Тmax - максимально допустимая температура коллекторного перехода; W - геометрическая толщина базы; Wg — действующая толщина базы; Uэб - напряжение эмитер-база; Uкб - напряжение коллектор-база; Ukp - контактная разность потенциалов; Uпроб - напряжение пробоя; Uпрок - напряжение прокола транзистора; Uк - напряжение коллекторного перехода; Uk max - максимально допустимое напряжение на коллекторе; Iэ — ток эмитера; Iб — ток базы; Iко — обратный ток коллектора при разомкнутом эмиттере; Ikmax - максимально допустимый ток коллектора; Iген - ток термогенерации в области объемного заряда; Iрек — ток рекомбинации; ( - коэффициент передачи тока в схеме с общей базой; (о - низкочастотное значение (; ( — коэффициент усиления тока коллекторного перехода за счет не основных носителей заряда; ( — коэффициент передачи тока в схеме с общим эмитером; ( — коэффициент инжекции эмитера; бк — толщина коллекторного перехода; ( - относительная диэлектирическая проницаемость; (о – коэффициент переноса не основных носителей заряда через область базы; (э, (б – подвижности электронов и дырок; (нб, (об – подвижности не основных и основных носителей заряда в базе; (нэ, (оэ – подвижности не основных и основных носителей заряда в эмитере; ( - круговая частота; ( - удельное сопротивление полупроводника; (i - удельное сопротивление собственного полупроводника; (э, (б, (к - удельные сопротивления эмитера, базы, коллектора; ( ,p – среднее время жизни электронов и дырок (( p – время пролета не основных носителей заряда через базу; ( – среднее время жизни носителей заряда, обусловленное поверхностной рекомбинацией; ( - удельная теплопроводность; Выбор технологии изготовления транзистора Основным элементом конструкции транзистора является кристалл, или транзисторная структура кристалла, которая представляет собой полупроводниковую пластину со сформированными на ней эмиттерным (ЭП) и коллекторным (КП) переходами.

Другими элементами конструкции являются корпус, кристаллодержатель, выводы. В зависимости от технических требований предъявляемых к параметрам транзистора, применяются различные методы формирования транзисторной структуры. Низкочастотные транзисторы изготавливаются по сплавной технологии, высокочастотные – с обязательным использованием процесса диффузии примесей. Основными разновидностями технологии изготовления высокочастотных транзисторов являются: диффузионная, планарная. Чисто диффузионная технология используется для изготовления транзисторов с f? не превышающими 50-100 МГц, сплавно- и мезо- диффузионная – для диапазонов 50- 100 МГц, соответственно, планарная–для f?=0,5-5ГГц. Так как граничная частота f? составляет 250 МГц, то для изготовления выберем сплавно-диффузионную технологию. 1 Сплавно-диффузионные транзисторы. При диффузионной технологии неоднородность эмиттерной поверхности приводит к неоднородности толщины базовой области, что ухудшает возможные частотные свойства транзистора . В сплавно-диффузионной технологии диффузией формируется лишь базовая область а КП и ЭП формируются вплавлением эмиттерной навески, под которой образуется рекристализационная зона. При этом в эмиттерную навеску вводится примесь, формирующая под эмиттером активный диффузионный слой базы. Коэффициент диффузии этой примеси должен значительно превышать коэффициент диффузии примеси, формирующей эмиттер и ЭП в рекристализационной зоне. Структура сплавно- диффузионного p- -p транзистора изображена на рис.1. На рис.2 приведены некоторые этапы получения сплавно-диффузионного транзистора. После получения исходной р- пластины Ge, протравливают в ней лунку, углубляясь в исходную р- пластину (рис.2.1). травление лунок осуществляется методом фотолитографии. На окислённую пластину наносят фоторезистивную плёнку, её освещают через маску ультрофиолетовым светом. Экспонированные места фоторезиста поляризуются. Незаполимеризованные части фоторезиста смывают так, что он остаётся только на облучённых местах. Затем производят травление. После получения лунки проводят щдиффузию донарной примеси (рис.2.2) затем необходимо отшлифовать поверхность исходной пластины, т.о., чтобы диффузионный слой остался лишь в лунке. Диффузия донорной примеси приводит к образованию базового - слоя (рис.2.3). С помощью электрохимического метода через маску вводят навески вплавляемого материала 1 и 4 (рис.2.4). Навеска 1 является эмиттерной, содержащая спал i Al I , а навеска 2- базовой. Затем пластину помещают в печь и нагревают до температуры, близкой к температуре плавления германия (около 900?С). При такой темпиратуре сплавы не только переходят в жидкое состояние, но имеет место диффузия примесей из жидкой фазы в прилежащую твёрдую фазу. При этом комплексный характер сплава, находится в лунках, обеспечивает одновременное образование двух слоёв: базового и эмиттерного, благодаря резко коэффициентам диффузии донарной и акцепторной примесей в германии: донарная примесь «обгоняет» акцепторную. Под эмиттерной навеской образуется р- область, которая является эмиттером (рис.2.5).

Каждому участнику испанского веб-проекта позволяется разместить до двух гигабайт фотоснимков. Наконец, третий слой - это указатели, привязанные к конкретным статьям Википедии. Однако независимо от языка интерфейса ссылки всегда указывают только на ее англоязычный сегмент. КК *** Sony начала продавать через онлайновый магазин PlayStation Store игры первой PlayStation, оптимизированные для запуска на PSP. Одна игра стоит 6 долларов. Пока покупать их можно только посредством PlayStation 3 - загружая на жесткий диск и затем копируя на PSP. Но вскоре Sony обещает открыть онлайновый магазин, доступный через встроенный браузер прямо с портативной консоли. ТБ *** Китайский университет оборонной науки отрапортовал о завершении четырехлетней работы над национальной серверной операционной системой. Kylin OS построена на базе модифицированной FreeBSD. ТБ *** Сотрудники университета штата Иллинойс установили новый рекорд быстродействия транзисторов. Группа исследователей, возглавляемая профессором электротехники Милтоном Фенгом (Milton Feng), продемонстрировала биполярный транзистор, работающий с тактовой частой 765 гигагерц при комнатной температуре и 845 гигагерц при охлаждении до минус 55 `С

1. Расчет усилителя на транзисторе

2. Проектирование индуктивной трёхточки на транзисторе с индуктированным n-каналом

3. Проектирование усилителя мощности на основе ОУ

4. Проектирование цепей коррекции, согласования и фильтрации усилителей мощности радиопередающих устройств

5. Расчет усилителя на биполярном транзисторе

6. Проектирование усилителя электрических сигналов
7. Расчёт усилителя на биполярном транзисторе
8. Проектирование базы данных "Книжный каталог"

9. Проектирование активных фильтров на интегральных операционных усилителях

10. Проектирование и расчет усилителя низкой частоты

11. Проектирование сложных логических структур на МДП-транзисторах

12. Расчет параметров и режимов работы транзисторных каскадов усилителя низкой частоты

13. Расчет усилителей на биполярных транзисторах

14. Усилители на биполярных транзисторах

15. Основы проектирования интегральных микросхем широкополосного усилителя

16. Проектирование усилителя низкой частоты

Беговел "Funny Wheels Rider Sport" (цвет: красный).
Беговел - это современный аналог детского велосипеда без педалей для самых маленьких любителей спорта. Удобный и простой в
2900 руб
Раздел: Беговелы
Подарочная расчёска для волос "Алиса".
Стильная детская расчёска дарит радость и комфорт. Этот практичный аксессуар по достоинству оценят как маленькие модницы, так юные
372 руб
Раздел: Расчески, щетки для волос
Фоторамка С31-011 "Alparaisa" на 5 фотографий, 51,5x34,5x2 см (белый).
Размеры рамки: 51,5х34,5x2 cм. Размеры фото: - 15х10 см, 3 штуки, - 10х15 см, 2 штуки. Фоторамка-коллаж для 5-ти фотографий. Материал:
642 руб
Раздел: Мультирамки

17. Дрейфовые транзисторы их параметры, преимущества и недостатки

18. Проектирование мотоустановки среднемагистрального пассажирского самолета

19. Определение параметров детонации заряда ВВ

20. Основы социокультурного проектирования

21. Книготорговые каталоги М.О.Вольфа

22. Так сколько же потеряли убитыми гитлеровские вооруженные силы?
23. Проектирование Сетей
24. Проектирование и разработка сетевых броузеров на основе теоретико-графовых моделей

25. Проектирование локальной вычислительной сети

26. Проектирование локальной вычислительной сети для агетства по трудоустройству

27. Разработка информационно-справочной системы "Каталог строительных объектов" /Prolog/

28. Проектирование и разработка баз и банков данных

29. Проектирование устройства сбора данных

30. Проектирование и создание современного web-сайта

31. Лекции по теории проектирования баз данных (БД)

32. Объектно-ориентированный подход к проектированию программного обеспечения на примере работы налоговой инспекции

Портфель "Attache", A4, серый.
Одно отделение.
375 руб
Раздел: Папки-портфели, папки с наполнением
Пенал-книжка для начальной школы "Ever After High", 21x14 см.
Пенал-книжка для начальной школы. 1 отделение, держатели письменных принадлежностей. Застегивается на молнию. Размер: 21х14х3 см.
303 руб
Раздел: Без наполнения
Набор инструментов.
Помогаю папе - отличный игровой набор для юных мастеров. Научит начальным профессиональным навыкам. Поможет ребенку почувствовать себя
589 руб
Раздел: Инструменты и мастерские

33. Система автоматизированного проектирования P-CAD

34. Вопросы к дисциплине: Стандартизация и проектирование программных средств (СППС)

35. Оценивание параметров и проверка гипотез о нормальном распределении (WinWord, Excel)

36. Проектирование защитного заземления электроустановок. Расчетно-графическая работа

37. Проектирование школьного сайта

38. Проектирование фундамента 4-хэтажного администратиного здания маслоперерабатывающего завода в пос. Ахтырский Абинского района
39. Проектирование и подбор состава гидротехнического бетона расчётно-экспериментальным методом
40. Проектирование автогенератора с кварцевым резонатором в контуре

41. Проектирование манипулятора

42. Проектирование многокамерной барабанной мельницы

43. Расчет зубчатых и червячных передач в курсовом проектировании

44. Проектирование лесосушильной камеры

45. Расчет и проектирование одноступенчатого, цилиндрического, шевронного редуктора общего назначения

46. Проектирование производства и систем управления мини-пекарень

47. Проектирование привода к специальной установке

48. Проектирование оптимальной структуры строительных машин при перевозке нерудных строительных материалов

Противомоскитная сетка, 100х220 см, белая.
Материал изготовления: полиэстер 100%, плотность 58 гр/кв. метр. В комплект входят кнопки и двусторонний скотч для крепления к дверному
425 руб
Раздел: Сетки противомоскитные
Набор строительных деталей для конструктора "Геометрик".
Во время игры ребёнок знакомиться с вариантами расположения строительных форм, учиться различать и называть детали. Используется для
463 руб
Раздел: Блочные конструкторы
Карточная игра "Уно".
Уно – это популярная настольная игра, широко известная по всему миру. В каждом раунде, первым избавляйся от всех карт, набирая очки за
389 руб
Раздел: Колоды карт

49. Проектирование цеха ремонта поршневых компрессоров

50. Основы конструирования: Проектирование привода общего назначения содержащего цепную передачу

51. Проектирование фасонного резца

52. Проектирование технологии процесса мехобработки корпуса (WinWord, AutoCAD 14)

53. Кинематический и силовой расчёт механизма. Определение осевого момента инерции маховика. Проектирование профиля кулачкового механизма. Проектирование зубчатого зацепления. Проектирование планетарного механизма

54. Проектирование АТС на районированной сети
55. Проектирование земляных работ (Проектування земляних робіт)
56. Проектирование технологического процесса изготовления детали - Стабилизатор

57. Проектирование привода ленточного транспортёра

58. Проектирование выпарной установки

59. Проектирование технологии производства земляных работ

60. Расчёт параметров режима, элементов сварочного контура и трансформатора машины для контактной точечной сварки

61. Расчёт и проектирование установки для получения жидкого кислорода

62. Проектирование силового кулачкового контроллера

63. Проектирование и исследование механизмов двигателя внутреннего сгорания

64. Технологическое проектирование АТП

Подарочный набор: визитница, ручка, нож складной, арт. 46051.
Элегантный дизайн прекрасно дополняет функциональность и делает этот набор прекрасным подарком. В наборе: визитница, ручка, нож складной.
723 руб
Раздел: Подарочные наборы
Глобус Звездного неба диаметром 320 мм, с подсветкой.
Диаметр: 320 мм. Масштаб: 1:40000000. Материал подставки: пластик. Цвет подставки: черный. Мощность: 220 V, переключатель на шнуре; может
1338 руб
Раздел: Глобусы
Тележка-сумка "Полоски".
Тележка багажная на комбинированных колесах, с сумкой. Путешествуя, гуляя по магазинам или просто выбираясь на пикник, возьмите с собой
1282 руб
Раздел: Хозяйственные тележки

65. Технологическое проектирование АТП

66. Проектирование электропитающих устройств маршрутно-релейной централизации

67. Проектирование восстановления корпуса клапана обратного

68. Расчет импульсного усилителя

69. Дифференциальный усилитель

70. Расчет многокаскадного усилителя
71. Проектирование модуля АФАР
72. Проектирование командно-измерительной радиолинии системы управления летательным аппаратом

73. Автоматизированное проектирование СБИС на базовых матричных кристаллах

74. Автоматизация проектирования цифровых СБИС на базе матриц Вайнбергера и транзисторных матриц

75. Расчет усилителя низкой частоты

76. Контроль динамических параметров ЦАП

77. Проектирование лог. ключа в n-МОП базисе с квазилинейной нагрузкой (МСХТ)

78. Расчет усилителя низкой частоты с блоком питания

79. Проектирование средств организации каналов передачи данных

80. Усилитель вертикального отклонения осциллографа

Набор бутылочек для кормления Avent "Natural" (2 штуки по 260 мл), от 1 месяца.
Бутылочка помогает легче совмещать грудное вскармливание и кормление из бутылочки. Благодаря инновационному дизайну малышу теперь легче
916 руб
Раздел: Бутылочки
Скетчбук. Гарри Поттер. Хогвартс.
Да начнется магия! Новые скетчбуки прямиком из величайшей вселенной Гарри Поттера! Откройте магический блокнот для рисования, и он станет
322 руб
Раздел: Блокноты художественные
Асборн - карточки. Тренируем зрение.
Набор карточек «Тренируем зрение» создан при поддержке ведущих офтальмологов специально для профилактики утомляемости глаз,
389 руб
Раздел: Прочие

81. Расчет корректирующих цепей широкополосных усилительных каскадов на биполярных транзисторах

82. Расчет параметров ступенчатого p-n перехода (zip 860 kb)

83. Антенный усилитель с подъёмом АЧХ

84. Усилитель корректор

85. УСИЛИТЕЛЬ ГЕНЕРАТОРА С ЕМКОСТНЫМ ВЫХОДОМ

86. Усилитель систем контроля радиовещательных станций
87. Усилитель модулятора лазерного излучения
88. Проектирование активных RC-фильтров

89. Изучение режимов работы диодов и транзисторов в электронных схемах

90. Усилитель мощности широкополосного локатора

91. Усилитель мощности системы поиска нелинейностей

92. Усилитель мощности для 1-12 каналов TV

93. Определение параметров p-n перехода

94. Проектирование участка по изготовлению широкодиапазонного генератора импульсов

95. Проектирование радиолокационной станции для обнаружения надводных целей в пределах речного шлюза Усть-Каменогорской гидроэлектростанции

96. ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ

Лоток на 3 отделения, черный.
Применяется для сортировки и временного хранения документов, писем, счетов и другой документации. Неразборный. Количество секций:
352 руб
Раздел: Подставки, лотки для бумаг, футляры
Багетная рама "Bella", 40x50 см (цвет: серебряный + золотой).
Багетные рамы предназначены для оформления картин, вышивок и фотографий. Оформленное изделие всегда становится более выразительным и
651 руб
Раздел: Багетные рамы, для икон
Магнитная планка самоклеющаяся, 100x5 см + 6 магнитов.
Магнитные планки применяются в случаях, когда требуются небольшие магнитные поверхности. На внутренней стороне планки нанесен перманентный
654 руб
Раздел: Прочее

97. Моделирование дискретной случайной величины и исследование ее параметров

98. Расчёт видео усилителя

99. Анализ и моделирование биполярных транзисторов


Поиск Рефератов на сайте za4eti.ru Вы студент, и у Вас нет времени на выполнение письменных работ (рефератов, курсовых и дипломов)? Мы сможем Вам в этом помочь. Возможно, Вам подойдет что-то из ПЕРЕЧНЯ ПРЕДМЕТОВ И ДИСЦИПЛИН, ПО КОТОРЫМ ВЫПОЛНЯЮТСЯ РЕФЕРАТЫ, КУРСОВЫЕ И ДИПЛОМНЫЕ РАБОТЫ. 
Вы можете поискать нужную Вам работу в КОЛЛЕКЦИИ ГОТОВЫХ РЕФЕРАТОВ, КУРСОВЫХ И ДИПЛОМНЫХ РАБОТ, выполненных преподавателями московских ВУЗов за период более чем 10-летней работы. Эти работы Вы можете бесплатно СКАЧАТЬ.