Библиотека Рефераты Курсовые Дипломы Поиск
Библиотека Рефераты Курсовые Дипломы Поиск
сделать стартовой добавить в избранное
Кефирный гриб на сайте za4eti.ru

Радиоэлектроника Радиоэлектроника

Электроника

Забавная пачка денег "100 долларов".
Купюры в пачке выглядят совсем как настоящие, к тому же и банковской лентой перехвачены... Но вглядитесь внимательней, и Вы увидите
60 руб
Раздел: Прочее
Совок большой.
Длина 21,5 см. Расцветка в ассортименте, без возможности выбора.
21 руб
Раздел: Совки
Чашка "Неваляшка".
Ваши дети во время приёма пищи вечно проливают что-то на ковёр и пол, пачкают руки, а Вы потом тратите уйму времени на выведение пятен с
222 руб
Раздел: Тарелки

п/п приборы п/п -материал ,удельная проводимость которого сильно зависит от внешних факторов –кол-ва примесей, температуры, внешнего эл.поля, излучения, свет, деформация Достоинства: выс. надежность, большой срок службы, экономичность, дешевизна. Недостатки: зависимость от температуры, чувствительность к ионизирован излучению. Основы зонной теории проводимостиСогласно квантовой теории строения вещества энергия электрона может принимать только дискретные значения энергии. Он движется строго по опред орбите вокруг ядра. Не в возбужденном состоянии при Т=0К , электроны движутся по ближаишей к ядру орбите. В твердом теле атомы ближе друг к другу( электронное облако перекрывается( смещение энергетических уровней( образуются целые зоны уровней. Е Разрешенная Запрещенная зона d 1)Разрешенная зона кт при Т=0К заполненная электронами наз – заполненной. 2)верхняя заполненная зона наз – валентной. 3)разрешенная зона при Т=0К где нет электронов наз – свободной. 4)свободная зона где могут находиться возмущенные электроны наз зоной эквивалентности. Проводимость зависит от ширины запрещенной зоны между валентной зоной и зоной проводимости. (Е=Епр-Ев Ширина запрещенной зоны в пределах 0,1~3,0 эВ (электрон вольт) характерна для п/пНаибольшее распространение имеют П/П Кремний, Германий, Селен и др. Рассмотрим кристалл «Ge» При Т=0КПри Т>0К электроны (заряд -q)отрываются образуют свободные заряды ( на его месте образуется дырка (заряд q) это называется процессом термогенерации Обратный процесс наз – рекомбинацией – электронная проводимость p – дырочная проводимость ( - время жизни носителя заряда (е). Вывод: таким образом роводимость в чистом П/П обоснована свободными электронами или дырками. (=( (p=q( ( q(p(p где: (-концентрация (-подвижность =(/Е Собственная проводимость сильно зависит от ( П/П приборы на основе собственной проводимости. Зависимость собственной проводимости от внешних факторов широко исполь-ся в целом ряде полезных П/П приборов. 1)Терморезисторы (R зависит от ( ) Температурный коэффициент: ТКС>0 у П/П ТКС Образуется легко перемещаемая дырка (дырочная проводимость), примесь называют акцепторной. Основным носителем заряда наз. Те кт в п/п > П/п с дырочной проводимостью наз. п/п –p типа, а с электоронной проводимостью – типа. Движения носителей заряда т.е. ток обуславливается 2 причинами: 1) внешнее поле – ток наз. дрейфовым. 2)разнасть концентраций – ток наз. диффузионным. В п/п имеется 4 составляющие тока: i=(i )Д (ip)Д (i )Е (ip)E Д-диффузионный Е-дрейфовый Электрические переходы. Называют граничный слой между 2-ми областями тела физические св-ва кт. различны. Различают: p- , p-p , - , м-п/п, q-м, q-п/п переходы прим. В п/п приборах (м-метал прим. в термопарах) Электронно-дырочный p- переход. Работа всех диодов, биполярных транзисторов основана на p- переходе Рассмотрим слой 2х Ge с различными типами проводимости. р Обычно переходы изготавливают несемметричными pp>> > то p-область эмитерная, - область- база В первый момент после соединения кристаллов из-за градиента концентрации возникает диффузионный ток соновных носителей.

На границе основных носителей начнут рекомбинировать, тем самым обнажаться неподвижные ионы примесей. Граничный слой. Будет обеднятся носителями заряда => возникнет внутреннее U. Это U будет препятствовать диффузионному току и он будет падать. С другой стороны наличие внутреннего поля обусловит появление дрейфого тока неосновных носителей. В конце концов диффузионный ток станет = дрейфовому току и суммарный ток через переход будет = 0 U контакта?(тl ((Pp0)/( p0)) (т?25мB температурный потенциал при 300 К Uк=0,6-0,7В Si;0,3-0,4В Ge. Различают 3 режима работы p- перехода: 1)Равновесный (внешнее поле отсутствует)2) Прямосмещенный p- переход.В результате Uвнпадает =>возникает диф. ток электорнов I=I0 eU/m(т m ? 1 Ge 2 Si I0 тепловой ток. I обусловлен основными носителями зарядов. Кроме него ток неосновных носителей будет направлен встречно.: I= I0(eU/m(т-1) 3)Обратно смещенный p- переход I- обусловлен токами неосновных носителей I=- I0ВАХ p- перехода Емкости p- переходов. Различают: -барьерную, -диффузионную. Барьерная имеет место при обратном смещении p- перехода. Запирающий слой выступает как диэлектрик =>конденсатор e=f(U) Эта емкость использована в варикапах. C ?1/?U Диффузионный ток имеет место при прямом смещении p- перехода Cд=dQизб/dU Реальные ВАХ p- переходов. Отличаются от идеальных след. образом:1)Температурная зависимость2) Ограничения тока за счет внутреннего R базы3)Пробой p- перехода :1-лавинный, 2- туннельный, 3- тепловой ( 1,2- обратимые;3-необратимый) I0 ? 10 I0 П/п диоды. Прибор с 1м p- переходом и 2мя выходами Квалифицируют по технологии, - по конструкции, - по функциональному назначению: -выпрямительные, А К -ВЧ диоды, стабилитроны, -варикапы, -светодиды, -фотодиоды, -тунельные, -обращенный Маркировка по справочнику 1)Выпрямит. диоды – предназначены для выпрямления ~ I в = Основные параметры Iср.пр- средний прямой,Uпр,Uобр.,P-мощность, Iпр.имп. 2)Вч диоды выполняются обычно по точечной технологии Cд-емкость, Iпр.имп, Uпр.ср, установления, востановления, 3)Диод Шотки – диод на основе перехода металл ->п/п, быстродействующий. Uпр.=0,5В, ВАХ не отличается от экспоненты в диапазоне токов до 1010 4)Стабилитрон – это параметрический стабилизатор напряжения, стабилизирует напряжение от единицы до сотен вольт.Uст – обратная ветвь ВАХ; пробой лавинный ВАХ r=?U/?I чем < тем лучшеД814Д => U=12 В Rбал.=(E-Uст.)/(Iст. Iн.) Кст.=(?Е/Е)/(?U/Uн) ТКН – температупный коэффициент U=(?U/U)/ ? ?0,0001% 5)Стабистор – предназначен для получения малых стабильных напряжений в них исп. прямая ветвь ВАХ КС07А U=0,7B6) Варикап –параметрическая емкость, вкл. в обратном смещении. Примечание :- в системах авто –подстройки частоты в телерадио и т.д.;-получение угловой модуляции(угловой или фазовой)7)Тунельный диод ВАХ имеет участок «-» RПримечание: Для получения высокочастотных колебаний (генератор); пороговые утройсва – тригеры Шмита 8) Обращенный диод – это разновидность тунельного - в нем нет «-» R, - в работе используют обратную ветвь ВАХ Биполярные транзисторы П/п прибор с 2-мя и более переходами и с 3-мя и более выводами Различают транзисторы проводимости: -p- , p- -pРежимы работы БТ 1.)

Отсечка – оба перехода закрыты, обратно смещены 2.)Насыщения – оба перехода смещены прямо 3.)Активный режим – эммитеры прямо, колектор обратно 4)Активно инверсный – эммитеры обратно, колектор прямо Активный режим. Физика работы. Iк=(Iэ Iко Iко-обратный ток колектора, (-коэффициент передачи тока эмитера Схемы включения транзисторов. 1)Схема с общей базойIвх-Iэ Iвых-Iк Uвх-Uэб Uвых-Uкб2)Схема с общим эмитером3) Схема с общим колекторомКаждая схема характеризуется семействами входных и выходных статических ВАХ Iвх=f(Uвх) ( Uвых-co s Iвых=f(Uвых) ( Iвх-co s ВАХ транзисторов 1)ОЭIк=(Iб (Uкэ/r к) I к0 (-коэффициент передачи Iб (=(/1-( 2)ОБ Iк=(Iэ I к0 (Uкб/rк) r к=( rк/1 () I к0=I к0(1 () Малосигнальная эквивалентная схема замещения транзистора 1)ОЭrк?100 Ом rэ=dUбэ/dIб ( Uк- co s rэ=2((/Iэ0 =(Si)?50мВ/ Iэ0 r к=dUкэ/dIк ( Iб- co s ?100кОм Ск =Ск(1 () ? 5-15мкФ2)ОБrэ=dUбэ/dIэ ( Uк- co s r к=dUкб/dIк ( Iэ- co s Частотные свойства транзистора Зависят от емкостей транзистора, межэлектородных емкостей, и от коэффициентов ( и ( fср=fср(/( – для ( h –параметры транзистора?U1=h11?I1 h12 ?U2 ?I2=h21?I1 h22 ?U2h11= ?U1/ ?I1 ?U2=0 – входной сигнал h12= ?U1/ ?U2 =?=0 – коэф. обр. отриц. внутр.связи ?I1=0 h21= ?I2/ ?I1 ?U2=0 – коэф усиления I h22= ?I2/ ?U2 =1/rк выходная проводимость ?I1=0Связь h-параметров с собственными параметрами транзистора ОБ ОЭ h1 rэ rб( rб rэ( 1 1-?) 1 ?) h1 0 0 2 h2 ? ? 1 h2 1/rк 1/rк = 2 (1 ?)/rк Полевые транзисторы (ПТ) В ПТ используется носитель заряда одного типа. Работа ПТ основана на управлении R канала ПТ поперечным электрическим полем. ПТ с: p- переходом МДМ или МОП « »- очень простые, высокая технологичность, большое Rвх., малая стоимость. «-»-малая крутизна ПТ с p- переходом Структура и работа.ВАХ: выходная rc=?Ucч/?Ic Uзи=co s (отсечки) ?10-100кОмСтокозатворная характеристика крутизна: S=(dIc/dUзи) Uc=co s (МДП)-транзисторы-МОПМОП: -с встроенным -с индуцируемымСтруктура и работа.Работа основана на явлении изменения проводимости при поверхностном слое полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием электрического поля. ВАХ: стокзатворная изолированный каналВстроенный канал cтокзатворнаяrк=1/s “ ”высокое Rвх 1012 14 Ом, высокие допустимые напряжения Применение:цифровая схемотехника, аналоговые ключи, входные-выходные каскады усилителей мощности, управляемые R. Терристор П/п прибор с 3-мя и более p- переходами, применяется для переключения токов. Различают 2-х электродные – динистор и 3-х электродные – тринистор. Динистор: структура и работаЕсли преложить « » к аноду то П1-П3 смещаются прямо ->их R мало, П2 смещается обратно. По мере возрастания Uлк ширина П2 увеличивается ->и с Uак создается U пробоя ->динистор открывается. После пробоя П2 его R резко падает и внешнее Uак перераспределяется на П1и П3 ->резко возрастает напряжение, ->I тоже растет ->возникает « » обратная связь. Чем больше открывается П2, тем больше отпирается П1 и П3,тем больше I. Ток через динистор, когда он открыт, ограничивается внешними элементами ВАХЕсли U на динисторе =0 тогда ток определяется отношением E/Rн Применение: можно построить генератор.Т

Полупроводниковые приборы). К полупроводникам относится большая группа веществ (Si, Ge и др., см. Полупроводниковые материалы). Носителями заряда в полупроводниках являются электроны проводимости и дырки (носители положительного заряда). В идеальных кристаллах они появляются всегда парами, так что концентрации обоих типов носителей равны. В реальных кристаллах, содержащих примеси и дефекты структуры, равенство концентраций электронов и дырок может нарушаться и проводимость осуществляется практически только одним типом носителей. Полное описание природы носителей заряда в полупроводниках и законов их движения дается в квантовой теории твердого тела (см. также Зонная теория). ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА - отрасль электроники, охватывающая вопросы исследования электронных процессов в полупроводниках и их практического использования, главным образом для генерирования, усиления и преобразования электрических колебаний. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ - полупроводники, применяемые для изготовления электронных приборов и устройств

1. Применение электроники и биомеханики при протезировании

2. Шумы - электроника

3. Сверхпроводящие материалы в электронике. Магнитометр на СКВИДах

4. Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)

5. Лекции по твердотельной электронике

6. Контрольная по прикладной СВЧ электронике
7. Приближается эра молекулярной электроники
8. Применения электроники и биомеханики при протезировании

9. Парадокс, сопровождающий развитие высоких технологий в области электроники

10. Узлы функциональной электроники

11. Фотоэлектромагнитный эффект и его применение в устройствах функциональной электроники

12. Контрольная по прикладной СВЧ электронике

13. Билеты по Электронике и электротехнике за декабрь 2000 г

14. Технологические основы электроники

15. Техника и электроника СВЧ (Часть 2)

16. Билеты по Электронике и электротехнике за декабрь 2000 г

Копилка-раскраска "Зайчик".
Набор для творчества. Копилка-раскраска. Пластиковая копилка легкая, приятная на ощупь, не бьется при падении и ее легко раскрашивать. В
324 руб
Раздел: Копилки
Глобус Земли физический, 250 мм.
Глобус Земли физический. На пластиковой подставке. Диаметр: 250 мм.
504 руб
Раздел: Глобусы
Подставка для ванны "Мишка", антискользящая, цвет: бежевый.
Подставка для ног предназначена для того, чтобы помочь малышу самостоятельно садиться на унитаз или пользоваться умывальником. Небольшой
353 руб
Раздел: Подставки под ноги

17. Статическое электричество и полупроводниковая электроника

18. Квантовая электроника

19. Системы технологий электроники и приборостроения. Основные технологические процессы, используемые на предприятиях комплекса

20. Электроника

21. Электротехника с основами электроники

22. Анализ основных технико-экономических показателей работы предприятия РУП "Завод "Электроника"
23. Великобритания (расширенный вариант реферата 9490)
24. Реферат о Пугачеве

25. Реферат перевода с английского языка из книги “A History of England” by Keith Feiling

26. Реферат по книге Фернана Броделя

27. Реферат по технологии приготовления пищи "Венгерская кухня"

28. Несколько рефератов по Исламу

29. "Камю", "Сартр", "Шопенгауэр", "Ясперс", "Фромм" (Рефераты, доклады по философии)

30. Реферат по информационным системам управления

31. Семь чудес света - древний мир, средние века и наше время (история цивилизации, реферат)

32. реферат

Магниты "Junior", 34 мм, белые,.
Диаметр: 34 мм. Сила: 1,3 кг. Материал: цельный ферритный магнит. Количество: 10 штук. Цвет: белый.
352 руб
Раздел: Магниты канцелярские
Бумага чертежная "Mega Engineer", А1, 5 листов, 200 г/м2.
Бумага чертежная (ватман) предназначена для всех видов чертежных и графических работ. Используется для работы карандашом, линером,
333 руб
Раздел: Прочая
Гель "Meine Liebe" для стирки цветных тканей, 800 миллилитров.
Эффективно удаляет грязь, сохраняя цвет вещей, предохраняя одежду от выцветания. Содержит натуральные смягчители, поэтому ткани становятся
315 руб
Раздел: Гели, концентраты

33. Обзорный реферат по творчеству Ф.И. Тютчева

34. Реферат - Социальная медицина (ЗДРАВООХРАНЕНИЕ КАК СОЦИАЛЬНАЯ СИСТЕМА ЧЕЛОВЕЧЕСКОГО ОБЩЕСТВА)

35. Реферат - Физиология (строение и функции гемоглобина)

36. Реферат по менеджменту

37. Реферат монографии А.А. Смирнова Проблемы психологии памяти

38. Сборник рефератов о конфликтах
39. Реферат по экскурсоведению
40. Реферат по экологии

41. Реферат о прочитаной на немецком языке литературы

42. Реферат для выпускных экзаменов

43. Реферат по ОБЖ, Тема: СПИД

44. Реферат о США

45. Реферат по делопроизводству с вопросами: Подготовка документов к архивному хранению, Правила оформления реквизитов №№16, 19, 20, 22, Контракты (договоры)


Поиск Рефератов на сайте za4eti.ru Вы студент, и у Вас нет времени на выполнение письменных работ (рефератов, курсовых и дипломов)? Мы сможем Вам в этом помочь. Возможно, Вам подойдет что-то из ПЕРЕЧНЯ ПРЕДМЕТОВ И ДИСЦИПЛИН, ПО КОТОРЫМ ВЫПОЛНЯЮТСЯ РЕФЕРАТЫ, КУРСОВЫЕ И ДИПЛОМНЫЕ РАБОТЫ. 
Вы можете поискать нужную Вам работу в КОЛЛЕКЦИИ ГОТОВЫХ РЕФЕРАТОВ, КУРСОВЫХ И ДИПЛОМНЫХ РАБОТ, выполненных преподавателями московских ВУЗов за период более чем 10-летней работы. Эти работы Вы можете бесплатно СКАЧАТЬ.