Библиотека Рефераты Курсовые Дипломы Поиск
Библиотека Рефераты Курсовые Дипломы Поиск
сделать стартовой добавить в избранное
Кефирный гриб на сайте za4eti.ru

Радиоэлектроника Радиоэлектроника

Полупроводниковые диоды

Ручка "Шприц", желтая.
Необычная ручка в виде шприца. Состоит из пластикового корпуса с нанесением мерной шкалы. Внутри находится жидкость желтого цвета,
31 руб
Раздел: Оригинальные ручки
Браслет светоотражающий, самофиксирующийся, желтый.
Изготовлены из влагостойкого и грязестойкого материала, сохраняющего свои свойства в любых погодных условиях. Легкость крепления позволяет
66 руб
Раздел: Прочее
Чашка "Неваляшка".
Ваши дети во время приёма пищи вечно проливают что-то на ковёр и пол, пачкают руки, а Вы потом тратите уйму времени на выведение пятен с
222 руб
Раздел: Тарелки

На основе использования свойств р- -перехода в настоящее время создано множество различных типов полупроводниковых диодов. Выпрямительные диоды предназначены для преобразования пе- ременного тока в постоянный.Их основные параметры: I пр max - максимальный прямой ток ; V пр ^^&- - падение напряжения на диоде при прямом смещении и заданном токе;I обр - ток через диод при обратном смещении и заданном напряжении;V обр max - макси- мальное обратное напряжение; f-диапазон частот,в котором выпрямленный ток не снижается меньше заданного уровня. По величине выпрямленного тока выпрямительные диоды малой(I пр < 0,3А), средней (0,3 A >10 А) и большой (I пр >10A) мощности. Для создания выпрямительных диодов приме- няются плоскостные p- -переходы,полученные сплавлением и диффузией.Высокие значения I пр обеспечиваются использова- нием p- -переходов с большой площадью. Большие значения V обр max достигаются использованием в ка- честве базы диода материала с высоким удельным сопротивле- нием.Наибольшие значения V обр max могут быть получены при использовании p-i- -диода,так ширина области объемного заря- да в нем наибольшая,а следовательно,наибольшее и значение напряжение пробоя.Так как с изменением температуры V обр max изменяется, то его значение дается для определенной темпера- туры (обычно комнатную). При больших Iпр в диоде, вследствие падения напряжения на нем, выделяется тепло.Поэтому выпрямительные диоды отличают- ся от остальных типов диодов большими размерами корпуса и внешних выводов для улучшения теплоотвода. Выпрямительные диоды изготавливают в настоящее время в ос- новном из кремния и германия.Кремниевые диоды позволяют по- лучать высокие обратные напряжения пробоя, так как удельное сопротивление собственного кремния (p 10 Ом см) много больше удельного сопротивления собственного германия(p 50 Ом см).Кроме этого, кремниевые диоды оказываются работоспособ- ными в большем интервале температур (-60. 125С),поскольку ширина запрещенной зоны в кремнии(1,12эВ)больше, чем в гер- мании(0,72эВ), а следовательно, обратный ток меньше(1,46). Германиевые диоды работоспособны в меньшем интервале темпе- ратур(-60. 85C),однако их выгоднее применять при выпрямле- нии низких напряжений, так как V пр для германиевых диодов(0,3.0,8 B ) меньше, чем для кремниевых(до 1,2В).Следовательно, меньше будет и мощность, рассеиваемая внутри германиевого диода. Полупроводниковые диоды, на вольт-амперной характеристи- ке которых имеется участок со слабой зависимостью напряже- ния от тока,называются стабилитронами.Таким участком являет- ся участок пробоя p- -перехода.Для изготовления стабилитро- нов используют кремний, так как обратный ток кремниевых дио- дов, по сравнению с германиевыми, меньше зависят от темпера- туры,а следовательно, вероятность теплового пробоя в них меньше и напряжение на участке пробоя (лавинного или тун- нельного)почти не изменяется с изменением тока. Основные параметры стабилитронов:V ст -напряжение стабилиза- ции;Iст mi -минимальный ток,с которого начинается стабилиза- ция напряжения;R д =dV/dI-дифференциальное сопротивление (в рабочей точке);R стат =V/I-статическое сопротивление (в рабо- чей точке); Q=Rд/R стат -коэффициент качества; ТНК=(1/V ст )(dV ст /d )-температурный коэффициент напряжения стабилизации.

Стабилитроны изготавливаются с различными значениями Vст,от 3 до 200 В. Для диодов с V ст >7В ширина p- -перехода достаточно велика и механизм пробоя лавинный. С ростом тем- пературы обратный ток диода увеличивается, так-же увеличи- вается и напряжение пробоя. Это обусловлено тем, что тепло- вое рассеяние увеличивается, длина свободного пробега носи- телей уменьшается и к p- -переходу требуется приложить большее напряжение, чтобы носители заряда на большем пути (равном длине свободного пробега) набрали кинетическую энер- гию, достаточную для ионизации. В диодах с V ст винным механизмом действует и туннельный. Конструктивно стабилитроны изготавливаются подобно выпря- мительным диодам, и их можно использовать вместо диодов. Импульсные Диоды Импульсными называются диоды, которые могут работать с временами переключения 1 мкс и меньше. Высокочастотными - выпрямительные диоды, предназначенные для работы на часто- тах до 150 МГц и выше. Большое влияние на характеристики p- -перехода на высоких частотах оказывает зарядная емкость. Ее влияние проявляется в шунтировании p- -перехода на высоких частотах и ухудшении выпрямляющих свойств. В импульсных диодах наличие зарядной емкости приводит к искажению формы импульса. Поэтому им- пульсные и высокочастотные диоды характеризуются как малым значением диффузионной емкости так и малым значением заряд- ной емкости. Малое значение зарядной емкости достигается уменьшением площади p- -перехода. Поэтому основная конструк- тивная задача заключается в уменьшении площади p- -перехода. Для изготовления импульсных и высокочастотных диодов используют германий и кремний. Преимуществом диодов из гер- мания является малое значение падения напряжения на диоде при прямом смещении, что существенно при работе диодов при малых сигналах. Представляет интерес создание импульсных и высокочастот- ных диодов на основе гетеропереходов с одним типом проводи- мости, например, 1- 2. Если работа выхода электронов из широкозонного полупроводника меньше, чем из узкозонного, то энергетическая диаграмма 1- 2- гетероперехода может быть пред- ставлена в виде (Рис. 1) Рис. 1 При подаче напряжения на гетеропереход, например положи- тельного на 2, а отрицательного на 1-полупроводник, элек- троны из 1-полупроводника смогут переходить в 2-полупро- водник. Через гетеропереход протекает ток, и такую поляр- ность внешнего напряжения можно назвать прямой. При обратном смещении электроны из 2-полупроводника бу- дут скатываться в потенциальную яму перед переходом, пройти который они не могут, так как перед ними находится потен- циальный барьер. Обратный ток может образоваться только за счет туннельного перехода электронов из 2-полупроводника через потенциальный барьер и за счет перехода дырок из 1- в 2-полупроводник. Для его уменьшения первый полупроводник должен быть достаточно сильно легирован, чтобы концентрация неосновных носителей была мала, а ширина перехода должна быть достаточно большой, чтобы электроны из 2-полупроводни- ка не смогли туннелировать через потенциальный барьер. Диоды Шоттки Для создания диодов Шоттки используется контакт метал-по- лупроводник.

Диоды Шоттки отличаются тем, что их работа ос- нована на переносе основных носителей. При прямом смещении электроны из полупроводника переходят в металл. Их энергия на больше энергии электронов в металле. Электроны из полуп- роводника быстро (примерно за 10 с) теряют на соударениях свою избыточную энергию и не могут возвратиться в полупро- водник. В диодах Шоттки не происходит накопления заряда неосновных носителей (обуславливающее снижение быстродей- ствия p- -перехода), поэтому они особенно перспективны для использования в качестве сверхбыстродействующих импульсных и высокочастотных диодов. Типичное время восстановления обрат- ного сопротивления диода Шоттки на основе, например Au-Si, порядка 10 пс и менее. Фотодиоды Если подать на диод обратное смещение, он может использо- ваться в качестве фотоприемника, ток которого зависит от ос- вещения. При достаточно больших обратных напряжениях вольт-амперная характеристика (рис. 2) запишется так: I =-( I нас I ф) =- I нас - qc B S Ф т.е. ток не зависит от напряжения, а опреде- ляется только интенсив- ностью света. Рис. 2 Для увеличения чувствительности фотодиода может использо- ваться эффект лавинного умножения носителей в области объем- ного заряда p- -перехода. К недостаткам лавинного фотодиода следует отнести, во-первых зависимость М от интенсивности света и, во-вторых, жесткие требования к стабильности питаю- щего напряжения (0,01. 0,2 %), так-как коэфициент умноже- ния М сильно зависит от напряжения. Инерционные свойства фотодиодов можно характеризовать пре- дельной рабочей частотой (частота модуляции света, на кото- рой амплитуда фотоответа уменьшается до 0,7 от максимальной), постоянной времени фотоответа (определяемой по времени наростания импульса фотоответа до 0,63 до макси- мального, при прямоугольном импульсе света), сдвигом фаз между входным (световым) и выходным (электрическим) сигналом. В общем случае, инерционность фотодиодов определяется тре- мя основными параметрами: временем диффузии неравновесных носителей через базу ; временем их полета через область объемного заряда p- -перехода ; RC-постоянной. Время диффузии носителей через базу определено как: =W /2 D p Время полета носителей через область область объемного заря- да (шириной d ) можно оценить как = d /V max, где V max - мак- симальная скорость движения носителей в электрическом поле, которая при больших полях не зависит от напряженности элек- трического поля вследствии уменьшения подвижности в силовых полях. Высоким быстродействием обладают фотодиоды на основе барьера Шоттки. В типичной структуре такого диода через тон- кую полупрозрачную пленку металла и поглощается в основном в области объемного заряда полупроводника. Следовательно, ин- нерционность обуславливается только временами i и rc . Малое значение обуславливается узкой областью объемного заряда, а небольшое значение получается за счет того, что удельное сопротивление металла много меньше, чем полуп- роводника, и соответственно меньше. Основными переносчи- ками тока через контакт в этом случае являются дырки полуп- роводника, которые практически мгновенно рекомбинируют с электронами в металле.

Так, в радиочастотном парамагнитном мазере накачка на частоте в 10 Ггц позволяет генерировать колебания с частотой до 5 Ггц со стабильностью частоты, определяемой лишь стабильностью температуры и магнитного поля (см. Квантовый усилитель).   В твердотельных лазерах на рубине или неодимовом стекле поглощение широкого спектра колебаний в области зелёной и синей части спектра приводит к генерации узкой спектральной линии с длиной волны l= 6943  (для рубинового лазера) и l= 10582  (для лазера с неодимовым стеклом).   Преобразователями частоты являются также параметрические генераторы. Параметрические генераторы радиодиапазона представляют собой резонансную колебательную систему — контур или объёмный резонатор, в котором один из энергоёмких (реактивных) параметров L или С зависит от приложенного напряжения или протекающего тока. При периодическом изменении одной из величин С или L с помощью внешних колебаний (накачки) частоты lн в контуре могут возбуждаться и поддерживаться колебания частоты l = 1/2lн. Наиболее широко распространены маломощные параметрические генераторы с переменной ёмкостью, созданной запертым полупроводниковым диодом специальной конструкции (параметрическим диодом)

1. Полупроводниковые диоды и транзисторы, области их применения

2. Полупроводниковые диоды

3. Расчет измерительных преобразователей. Полупроводниковый диод

4. Роль микроэлементов в обменных процессах растений и на накоплении ими биологически активных веществ (Реферат (обзор литературы) () WinWord 97)

5. Экономическая сказка-реферат "НДС - вражья морда" или просто "Сказка про НДС"

6. Несколько рефератов по культурологии
7. Реферат по научной монографии А.Н. Троицкого «Александр I и Наполеон» Москва, «Высшая школа»1994 г.
8. Субъект преступления ("подновлённая" версия реферата 6762)

9. Психология труда (Обзорный реферат по психологии труда)

10. "Русский Тарзан" (реферат о российском пловце Александре Попове)

11. Реферат по статье П. Вайнгартнера «Сходство и различие между научной и религиозной верой»

12. Генезис капитализма в Мексике. Реферат по истории экономики

13. Реферат по книге Н. Цеда Дух самурая - дух Японии

14. Реферат по теме “Человек на войне”

15. Реферат по биографии Виктора Гюго

16. Реферат - Физиология (Транспорт веществ через биологические мембраны)

Каска "Шеф".
Пластиковая каска с надписью «ШЕФ» - забавный подарок для руководителей любого ранга. Каска имеет внутренний амортизатор и форму, в
577 руб
Раздел: Прочее
Щётка-сметка автомобильная для снега, телескопическая, поворотная, со скребком, 810-1060 мм.
Щетка автомобильная для снега со скребком предназначена для очистки кузова и стекол автомобиля от снега и льда. Автомобильные щетки для
586 руб
Раздел: Автомобильные щетки, скребки
Рюкзак школьный "Multi Pack. Graphic", 40x18x29,5 см.
Вместительный и удобный школьный рюкзак, отличающийся небольшим весом и наличием твердой спинки. Благодаря прочной каркасной конструкции
3707 руб
Раздел: Без наполнения

17. США и Канада в АТР: набор рефератов

18. Как написать хороший реферат?

19. Сборник рефератов о конфликтах

20. Реферат кондитерское изделие

21. Реферат по статье Гадамера Неспособность к разговору

22. Реферат Евро
23. Реферат о прочитаной на немецком языке литературы
24. Лесные пожары - реферат

25. ДЫХАНИЕ - реферат за 9-й класс

26. Реферат по Мексике

27. Перевод реферата "Acquaintance with geometry as one of the main goals of teaching mathematics to preschool children"

28. Алмазоподобные полупроводники

29. Полупроводники, р-n переход

30. Внутренний фотоэффект в полупроводниках

31. Адгезионные свойства металлов и полупроводников в рамках диэлектрического формализма

32. Развитие исследований полупроводников

Мешок для обуви "Monster Truck", 2 отделения, светоотражающая полоса.
Количество отделений - 2. Материал - полиэстер. Размер - 370x470 мм. Цвет - цветной/рисунок. Светоотражающий элемент - есть.
316 руб
Раздел: Сумки для обуви
Сиденье детское для купания (бирюзовый).
Сиденье детское для купания. Материал: пластик. Цвет: бирюзовый. Ширина: 320 мм. Длина: 320 мм. Высота: 222 мм.
325 руб
Раздел: Горки, приспособления для купания
Ранец школьный "Animal Club. Tiaras", 32x25x13 см.
Жесткая рельефная анатомическая спинка повышенной комфортности. Анатомический рельеф спинки повторяет естественный изгиб позвоночника, что
1286 руб
Раздел: Без наполнения

33. Акустические свойства полупроводников

34. Электрический ток в проводниках и полупроводниках

35. Электрический ток в проводниках и полупроводниках

36. Акустические свойства полупроводников

37. Органические полупроводники

38. Полупроводники в современной физике и технике
39. Проводники, полупроводники и диэлектрики
40. Материалы оптоэлектроники. Полупроводниковые светоизлучающие структуры

41. Оборудование для ориентации полупроводниковых пластин

42. Полупроводниковые приборы

43. Исследование эффекта автодинного детектирования в многоконтурном генераторе на диоде Ганна

44. Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме

45. Изучение режимов работы диодов и транзисторов в электронных схемах

46. Численный расчет диода Ганна

47. Оптические системы светоизлучающих диодов

48. Тензоэлектрические полупроводниковые приборы

Игра-баланс "Морской мир".
Игра-баланс "Морской мир" от производителя "Жирафики" предназначена для мальчиков и девочек в возрасте от трех лет.
640 руб
Раздел: Сортеры, логические игрушки
Подгузники Libero Newborn, 24 штуки, 0-2,5 кг.
Первые в жизни подгузники для малыша должны быть особенно мягкими и комфортными. Подгузники "Libero Newborn" специально созданы
345 руб
Раздел: 0-5 кг
Фломастеры "Jungle Innovation" на подставке, 12 цветов.
Чернила легко смываются с рук и одежды. Эти фломастеры идеальны для раскрашивания, поскольку они долговечны, их краски насыщенны, хорошего
343 руб
Раздел: 7-12 цветов

49. Полупроводниковые материалы в металлургии

50. Расчёт полупроводникового выпрямителя

51. Полупроводниковые приборы и электронные лампы

52. Изучение режимов работы диодов и транзисторов в электронных схемах

53. Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме

54. Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов
55. Технология производства полупроводниковых материалов типа А2В6
56. Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин

57. Применение pin диодов

58. Исследование полупроводникового стабилитрона

59. Конструкции элементов полупроводниковых микросхем на МДП-транзисторах

60. Оценка теплового режима ИМС. Расчет надежности полупроводниковых ИМС по внезапным отказам

61. Полупроводниковые преобразователи

62. Применение полупроводниковых приборов

63. Расчет и проектирование диода на основе кремния

64. Схема напряжения на диодах

Конструктор металлический для уроков труда №1, 206 элементов.
Конструктор раскрывает перед ребенком неограниченные возможности моделирования и создания множества своих собственных
313 руб
Раздел: Магнитные и металлические конструкторы
Ковш "Классика", 1 литр.
Ковш предназначен для приготовления пищи, долговечен и неприхотлив в эксплуатации. Изготавливается из нержавеющей (коррозионностойкой)
579 руб
Раздел: Ковши
Подгузники "Ушастый нянь", 4 Maxi (7-18 кг), 50 штук.
Детские одноразовые подгузники «Ушастый нянь» изготовлены из особо мягких и дышащих материалов, которые нежно контактируют с
626 руб
Раздел: Более 11 кг

65. Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам

66. Полупроводниковые материалы

67. Цветные металлы: классификация, области применения. Металлические проводниковые и полупроводниковые материалы, магнитные материалы

68. Легирование полупроводниковых материалов

69. Оптические свойства полупроводниковых пленок в видимой и ИК частях спектра

70. Полупроводниковые наноструктуры
71. Анализ деятельности транспортного цеха РУП "Завод полупроводниковых приборов (ЗППП)" НПО "Интеграл"


Поиск Рефератов на сайте za4eti.ru Вы студент, и у Вас нет времени на выполнение письменных работ (рефератов, курсовых и дипломов)? Мы сможем Вам в этом помочь. Возможно, Вам подойдет что-то из ПЕРЕЧНЯ ПРЕДМЕТОВ И ДИСЦИПЛИН, ПО КОТОРЫМ ВЫПОЛНЯЮТСЯ РЕФЕРАТЫ, КУРСОВЫЕ И ДИПЛОМНЫЕ РАБОТЫ. 
Вы можете поискать нужную Вам работу в КОЛЛЕКЦИИ ГОТОВЫХ РЕФЕРАТОВ, КУРСОВЫХ И ДИПЛОМНЫХ РАБОТ, выполненных преподавателями московских ВУЗов за период более чем 10-летней работы. Эти работы Вы можете бесплатно СКАЧАТЬ.